| 型号： | STX112-AP | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | STMicroelectronics | 描述： | TRANSISTOR DARL NPN TO-92 |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| STX112-AP PDF |  |
| 其它有关文件 | STX112 View All Specifications |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 2.5V @ 8mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 2mA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 1000 @ 1A，4V |
| 功率 - 最大 | 1.2W |
| 频率 - 转换 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装 | TO-92AP |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | 497-12706-1 |